厂（韶光电工厂）等。各省市所建厂中有名的有：Shanghai元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、Su州半导体厂、Chang州半导体厂、Beijing市半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、Tian津半导体（一）厂、航天部Xi安６９１厂等等。
集成电路一经出现，随着设备和工艺的不断发展，集成度迅速提高。从小规模集成（ＳＳＩ），经过中规模集成（ＭＳＬ），很快发展到大规模集成（ＬＳＩ），这在美国用了８年时间。而中国在初始发展阶段仅用７年时间走完这段路，与国外差距还不是很大。
１９７２年中国第一块ＰＭＯＳ型ＬＳＴ电路在Sichuan永川半导体研究所研制成功。为了加速发展ＬＳＩ，中国接连召开了三次全国性会议，第一次１９７４年在京召开，第二次１９７５年在Shanghai召开；第三次１９７７年在大三线Gui州省召开。
为了提高工艺设备的技术水平。并了解国外ＩＣ发展的状况，在１９７３年中日邦交恢复一周年之际，中国组织了由１４人参加的电子工业考察团赴日本考察ＩＣ产业，参观了日本当时八大ＩＣ公司：日立、ＮＥＣ、东芝、三菱、富士通、三洋、冲电气和夏普，以及不少设备制造厂。原先想与ＮＥＣ谈成全线引进。因政治和资金原因没有成功丢失了一次机会。
后来改为由七个单位从国外购买设备，期望建成七条工艺线。最后成线的只有Beijing８７８厂，航天部Shan西骊山７７１所和Gui州都匀４４３３厂。
这一阶段１５年，从研制小规模到大规模电路，在技术上中国都依靠自己
第二百六十三章 代工生产(2/5)